[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，抑制成本并能够进行等离子蚀刻。晶片的加工方法是将在基板的正面上层叠有功能层且形成有多个器件的晶片沿着划分多个器件的间隔道进行分割的方法。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件配设步骤，在晶片的正面的功能层侧配设粘接带；切削步骤，使切削刀具切入晶片的背面，沿着间隔道形成深度超过晶片的完工厚度的切削槽；以及等离子蚀刻步骤，对利用卡盘工作台保持着粘接带侧的晶片从背面侧进行等离子蚀刻，使切削槽朝向晶片的正面延展，从而沿着间隔道对基板进行分割。

主权项

1.一种晶片的加工方法，将在基板的正面上层叠有功能层且形成有多个器件的晶片沿着划分该多个器件的间隔道进行分割，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件配设步骤，在该晶片的正面的该功能层侧配设保护部件；切削步骤，使切削刀具切入该晶片的背面，沿着该间隔道形成深度超过该晶片的完工厚度的切削槽；以及等离子蚀刻步骤，对利用卡盘工作台保持着该保护部件侧的该晶片从背面侧进行等离子蚀刻，使该切削槽朝向该晶片的正面延展，从而沿着该间隔道对该基板进行分割。