[发明专利]一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法在审

专利信息
申请号: 201811198895.9 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109240038A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 高超;程洁 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F1/42 分类号: G03F1/42
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法。所述掩模板包括若干个产品晶粒图形以及至少一个对准晶粒图形,所述产品晶粒图形用于在晶圆上形成产品图形,所述对准晶粒图形用于在晶圆上形成后道封装时对准定位的掩膜图形。本发明还提供了一种晶圆及其曝光方法、封装方法。本发明采用具有对准晶粒图形的掩模板,曝光制备的晶圆具有在后道封装时用于对准和定位的对准晶粒,减少了作为mirror die用于后道封装对准和定位所牺牲的晶粒的数量,从而降低了成本。
搜索关键词: 对准 晶粒 封装 晶圆 掩模板 曝光 产品晶粒 产品图形 掩膜图形 种晶 制备
【主权项】:
1.一种掩模板,其特征在于,包括若干个产品晶粒图形以及至少一个对准晶粒图形,所述产品晶粒图形用于在晶圆上形成产品图形,所述对准晶粒图形用于在晶圆上形成后道封装时对准定位的掩膜图形。
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