[发明专利]3D存储器件的制造方法及3D存储器件

摘要

本申请公开了一种3D存储器件的制造方法及3D存储器件。3D存储器件的制造方法包括：在衬底上方形成栅叠层结构；形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱，在所述多个沟道柱底部包括外延层，延伸至所述衬底；在所述多个沟道柱侧壁形成ONOPO结构；以及去除位于所述外延层上方的所述ONOPO结构，以暴露所述外延层的至少部分上表面，其中，去除位于所述外延层上方的所述ONOPO结构的步骤是分步进行的。该3D存储器件的制造方法采用分步骤蚀刻ONOPO结构的方法，可以方便地控制沟道柱底部的外延层表面的凹陷区的蚀刻深度，降低了控制蚀刻深度的工艺难度，避免因为底蚀刻或过蚀刻而出现电路断路的问题，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。

主权项

1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上方形成栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱，在所述多个沟道柱底部包括外延层，所述外延层延伸至所述衬底；在所述多个沟道柱侧壁依次形成阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层、多晶硅层和绝缘层；以及去除位于所述外延层上方的所述阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层、多晶硅层和绝缘层，以暴露所述外延层的至少部分上表面，其中，去除位于所述外延层上方的所述阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层、多晶硅层和绝缘层的步骤是分步进行的。