[发明专利]一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811205140.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109088309A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | 腔面发射激光器 电流限制层 暴露区域 高频垂直 反射层 衬底 电流注入区域 边缘区域 绝缘区域 芯片 发光层 多层 制备 暴露 垂直腔面发射激光器芯片 边缘设置 衬底背面 出光孔 导电层 连通 申请 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高频垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，所述衬底背面形成有N型电极层；所述N型层和所述P型层均包括多层反射层；所述发光层、所述电流限制层和所述P型层暴露所述N型层的边缘区域；所述N型层暴露所述衬底的边缘区域；所述N型层边缘设置有连通所述N型层的多层反射层的导电层；所述电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；所述P型层包括与所述绝缘区域对应的暴露区域，所述暴露区域暴露所述P型层中的底层的反射层；所述P型电极层覆盖包括所述暴露区域的P型层，所述P型电极层包括与所述电流注入区域对应的出光孔。
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