[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板有效
| 申请号： | 201811206714.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109461763B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘方梅;徐源竣 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种显示面板的制备方法及显示面板，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件，所述光吸收层用以吸收来自所述OLED器件方向的光线。有益效果：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 面板 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
