[发明专利]基板处理方法和装置有效
申请号: | 201811207541.6 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN109671649B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 李基胜;曺守铉;闵忠基 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明构思提供了一种用于对基板进行热处理的装置和方法。该方法包括:第一处理操作,即在供处理基板的处理空间被关闭的状态下将基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热基板;在第一处理操作之后的第二处理操作,即降低基板使得基板位于第二高度并加热基板;在第二处理操作之后的第三处理操作,即升高基板使得基板与支撑板间隔开以位于第三高度并加热基板;以及在第三处理操作之后的第四处理操作,即降低基板使得基板位于第四高度并加热基板。因此,通过调节处理空间的气流速度,可以使中心区域与边缘的温差最小化,并且可以迅速地排出工艺副产物。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,所述方法包括:第一处理操作,即在供处理基板的处理空间关闭的状态下,将所述基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热所述基板;在所述第一处理操作之后的第二处理操作,即降低所述基板使得所述基板位于第二高度并加热所述基板;在所述第二处理操作之后的第三处理操作,即升高所述基板使得所述基板与所述支撑板间隔开以位于第三高度并加热所述基板;和在所述第三处理操作之后的第四处理操作,即降低所述基板使得所述基板位于第四高度并加热所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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