[发明专利]量子点器件和电子设备在审
| 申请号： | 201811207676.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109817772A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 徐弘圭;张银珠;丁大荣;金泰豪;李相陈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹;金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括阳极、在所述阳极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点层、和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴注入层 空穴传输层 量子点层 量子点器件 阳极 第二表面 第一表面 电子设备 占据分子轨道能级 能级 阴极 分子轨道 占据 | ||
【主权项】：
1.量子点器件，其包括阳极，在所述阳极上的空穴注入层，在所述空穴注入层上的空穴传输层，在所述空穴传输层上的量子点层，和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道能级大于或等于5.6电子伏，所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于0.5电子伏，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的最高占据分子轨道能级不同于所述空穴注入层的第二表面的最高占据分子轨道能级。
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