[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201811215149.6 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109786201A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 成正模;吴相录;李恩雨;金光男;宣钟宇;洪定杓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种等离子体处理装置，用于在等离子体工艺期间控制腔室的边缘区域处的等离子体分布，从而对半导体基板可靠地执行等离子体工艺。该等离子体处理装置包括：腔室，包括限定反应空间的外壁和覆盖外壁的上部的窗口；线圈天线，设置在窗口之上并包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中电极位于ESC内，其中该电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于吸附，该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体处理装置 等离子体工艺 第二电极 第一电极 电极 腔室 外壁 等离子体分布 半导体基板 边缘区域 反应空间 静电吸盘 控制腔室 线圈天线 边缘处 顶表面 吸附 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室，包括外壁和窗口，所述外壁限定其中形成等离子体的反应空间，所述窗口覆盖所述外壁的上部；线圈天线，设置在所述窗口之上，所述线圈天线包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在所述腔室的下部中，其中：要被处理的物体可支撑在所述ESC的顶表面上，并且电极位于所述ESC内，并且所述电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于保持所述物体，所述第一电极提供在所述ESC的内部中央部分中从而与所述ESC的所述顶表面平行，所述至少一个第二电极提供在所述ESC的内部的边缘处从而相对于所述ESC的所述顶表面具有倾斜。
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