[发明专利]半导体存储器件、存储器系统及其刷新方法有效
| 申请号： | 201811218388.7 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109754832B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张敏洙;徐恩圣;裴升浚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：单元阵列，其包括用于存储数据的多个DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，其根据从外部提供的访问场景信息来刷新多个DRAM单元。刷新控制逻辑器件参考访问场景信息和多个DRAM单元的保留特性来确定多个DRAM单元的刷新时间，并根据所确定的刷新时间来刷新多个DRAM单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 存储器 系统 及其 刷新 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：单元阵列，包括用于存储数据的多个动态随机存取存储器DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，被配置为根据从外部源提供的访问场景信息来刷新所述多个DRAM单元，其中，所述刷新控制逻辑器件被配置为参考所述访问场景信息和所述多个DRAM单元的保留特性来确定所述多个DRAM单元的刷新时间，并且被配置为根据所确定的刷新时间来刷新所述多个DRAM单元。
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