[发明专利]一种半导体器件剥离方法有效
| 申请号： | 201811221504.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111081827B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;邢汝博;黄秀颀;李旭娜;张宇;李晓伟;韦冬;郭凯;朱正勇 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件剥离方法。该方法包括：在多个半导体器件的第一表面设置连接层，其中，多个半导体器件中的每一个具有与第一表面相对的第二表面，半导体器件通过第二表面固定在衬底上；使腐蚀介质通过多个半导体器件中相邻半导体器件之间的空隙到达第二表面的周围，以对第二表面进行腐蚀而使得多个半导体器件与衬底剥离，从而不必破坏衬底即可将半导体器件与衬底分离，并且与激光剥离蓝宝石衬底的技术相比，耗时较短，效率较高，流程简单，降低了半导体器件的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 剥离 方法 | ||
【主权项】：
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