[发明专利]半导体装置设备及其形成方法在审
| 申请号： | 201811222068.9 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109698178A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | J·泰塞伊雷;M·C·埃斯塔西奥;林承园 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/498;H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体装置设备及其形成方法。在一般方面中，一种半导体装置设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体；及第二碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间，其中所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 裸片 栅极导体 导电路径 碳化硅 半导体装置 封装 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置设备，其包括：封装，其包含：共同栅极导体，第一半导体裸片，其具有裸片栅极导体，及第二半导体裸片，其具有裸片栅极导体；及第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。
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