[发明专利]一种细晶粒碳化硅包覆层的制备方法在审
| 申请号： | 201811222217.1 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109594060A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张锋;林俊;杨旭;李子威;王鹏;朱智勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | C23C16/442 | 分类号： | C23C16/442;C23C16/32;C23C16/56;C23C16/26;G21C21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪;宋丽荣 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种细晶粒碳化硅包覆层的制备方法，包括如下步骤：S1，提供基底；S2，在流化床化学气相沉积装置中，将温度设定为1150‑1250℃，通入甲基三氯硅烷蒸汽，载带气体为氢气与氩气混合气，得到包覆在基底上的碳化硅层，其中，氢气在载带气体中的体积分数占比为12％‑18％；S3，在氩气环境和1400‑1600℃下高温退火，得到致密的细晶粒碳化硅包覆层。根据本发明的细晶粒碳化硅包覆层的制备方法，不涉及反应气体丙烯，从而避免了现有技术中的丙烯所引入的碳杂质。实际上，本发明通过降低温度并调整载带气体，也不会引入相应的硅杂质，从而得到细晶化的纯相β‑SiC包覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 包覆层 碳化硅 细晶粒 载带 制备 丙烯 氢气 基底 化学气相沉积装置 甲基三氯硅烷 致密 氩气 反应气体 高温退火 碳化硅层 体积分数 氩气环境 引入 硅杂质 混合气 流化床 碳杂质 细晶化 包覆 蒸汽 | ||
【主权项】：
1.一种细晶粒碳化硅包覆层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供基底；S2，在流化床化学气相沉积装置中，将温度设定为1150‑1250℃，通入甲基三氯硅烷蒸汽，载带气体为氢气与氩气混合气，得到包覆在基底上的碳化硅层，其中，氢气在载带气体中的体积分数占比为12％‑18％；S3，在氩气环境和1400‑1600℃下高温退火，得到致密的细晶粒碳化硅包覆层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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