[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质在审
| 申请号： | 201811222568.2 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109686681A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 大野宏树;稻田尊士;河野央 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 磷酸 处理液 基板处理装置 存储介质 基板处理 蚀刻处理 对基板 含硅化合物 析出 处理液中 方式控制 硅氧化物 基板 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理部，其使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理；以及控制部，其以如下方式控制处理液，该方式是：在所述蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的所述处理液对所述基板进行处理，在所述第一处理时间之后的第二处理时间，利用比所述第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比所述第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者所述第二规定磷酸浓度及所述第一硅浓度的所述处理液对所述基板进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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