[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811222930.6 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN110911387B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 周冠宏;任柏璋;蔡明衡 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 宋义兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置。半导体装置包含基板、井区、氧化层、栅极及彼此共用的源极/漏极。基板具有第一表面及第二表面，并且第一表面与第二表面彼此相对。井区形成于基板内。基板与井区分别具有第一导电型与第二导电型。氧化层形成于井区内。栅极形成于第一表面上方并具有第一开口。彼此共用的源极/漏极靠近第一表面形成于氧化层内，且露出于第一开口。彼此共用的源极/漏极具有第一导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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