[发明专利]半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201811223173.4 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN110034188B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 万政典;黄耀聪;黄允圣;李名镇;黄伟哲 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体芯片，包括：基板；晶体管，形成在所述基板上，并包括：绝缘层；以及鳍片，包括基部和与所述基部连接的凸起，其中所述凸起相对于所述基部的上表面凸出，并具有相对于所述基部的上表面凹陷的凹槽。通过凹槽的设置，可以使鳍片的宽度更加薄。从而提高半导体芯片的性能，改善短沟道效应，并因此增加控制开关和性能的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：基板；晶体管，形成在所述基板上，并包括：绝缘层；以及鳍片，包括基部和与所述基部连接的凸起，其中所述凸起相对于所述基部的上表面凸出，并具有相对于所述基部的上表面凹陷的凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811223173.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：集成电路器件
- 同类专利
- 专利分类
