[发明专利]功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块有效
| 申请号： | 201811223774.5 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109712969B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 中村宏之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于实现功率半导体模块的小型化。本发明的功率半导体模块的制造方法具有下述工序：工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管(1UP、1UN、1VP、1VN、1WP、1WN)的功率半导体芯片即6合1芯片(1)；工序(b)，按照与6合1芯片(1)不同的工艺规则形成进行6合1芯片(1)的控制的控制用芯片(3U、3V、3W)；以及工序(c)，使用6合1芯片(1)和控制用芯片(3U、3V、3W)而形成一个功率半导体模块。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块的制造方法，其具有下述工序：工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管的功率半导体芯片；工序(b)，按照与所述功率半导体芯片不同的工艺规则形成进行所述功率半导体芯片的控制的控制用芯片；以及工序(c)，使用由所述工序(a)形成的所述功率半导体芯片和由所述工序(b)形成的所述控制用芯片而形成一个功率半导体模块。
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