[发明专利]有机EL显示装置和有源矩阵基板在审
申请号: | 201811224781.7 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109698218A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 宫本忠芳;细川真里;中村好伸;锦博彦 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极,上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上,与第2氧化物半导体层相对。 | ||
搜索关键词: | 氧化物半导体 氧化物半导体层 有机EL显示装置 源矩阵基板 屏蔽电极 像素电路 绝缘层 底栅结构 顶栅结构 基板 像素 | ||
【主权项】:
1.一种有机EL显示装置,具有按矩阵状排列的多个像素,上述有机EL显示装置的特征在于,具备:基板;以及像素电路,其设置于上述多个像素中的每一像素,上述像素电路包括支撑于上述基板的多个氧化物半导体TFT,上述多个氧化物半导体TFT包括具有第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和具有第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT,上述第1氧化物半导体TFT具有:上述第1氧化物半导体层,其设置于在上述基板上形成的第1绝缘层上;第1栅极绝缘层,其设置于上述第1氧化物半导体层上;第1栅极电极,其设置于上述第1栅极绝缘层上,与上述第1氧化物半导体层相对;以及第1源极电极和第1漏极电极,其电连接到上述第1氧化物半导体层,上述第2氧化物半导体TFT具有:第2栅极电极,其设置于上述基板上;第2栅极绝缘层,其以覆盖上述第2栅极电极的方式设置;上述第2氧化物半导体层,其设置于上述第2栅极绝缘层上,与上述第2栅极电极相对;第2源极电极和第2漏极电极,其电连接到上述第2氧化物半导体层;以及屏蔽电极,其设置于在上述第2氧化物半导体层上形成的第2绝缘层上,与上述第2氧化物半导体层相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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