[发明专利]有机EL显示装置和有源矩阵基板在审

专利信息
申请号: 201811224781.7 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109698218A 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 宫本忠芳;细川真里;中村好伸;锦博彦 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/12
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;刘宁军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极,上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上,与第2氧化物半导体层相对。
搜索关键词: 氧化物半导体 氧化物半导体层 有机EL显示装置 源矩阵基板 屏蔽电极 像素电路 绝缘层 底栅结构 顶栅结构 基板 像素
【主权项】:
1.一种有机EL显示装置,具有按矩阵状排列的多个像素,上述有机EL显示装置的特征在于,具备:基板;以及像素电路,其设置于上述多个像素中的每一像素,上述像素电路包括支撑于上述基板的多个氧化物半导体TFT,上述多个氧化物半导体TFT包括具有第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和具有第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT,上述第1氧化物半导体TFT具有:上述第1氧化物半导体层,其设置于在上述基板上形成的第1绝缘层上;第1栅极绝缘层,其设置于上述第1氧化物半导体层上;第1栅极电极,其设置于上述第1栅极绝缘层上,与上述第1氧化物半导体层相对;以及第1源极电极和第1漏极电极,其电连接到上述第1氧化物半导体层,上述第2氧化物半导体TFT具有:第2栅极电极,其设置于上述基板上;第2栅极绝缘层,其以覆盖上述第2栅极电极的方式设置;上述第2氧化物半导体层,其设置于上述第2栅极绝缘层上,与上述第2栅极电极相对;第2源极电极和第2漏极电极,其电连接到上述第2氧化物半导体层;以及屏蔽电极,其设置于在上述第2氧化物半导体层上形成的第2绝缘层上,与上述第2氧化物半导体层相对。
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