[发明专利]提供源极和漏极掺杂的方法以及如此形成的半导体器件在审

专利信息
申请号: 201811228091.9 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN109712935A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 王维一;M.S.罗德;B.J.奥布拉多维奇;洪俊顾 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波;屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 描述了一种用于提供半导体器件的方法和如此形成的器件。掺杂的半导体层沉积在半导体底层上。半导体底层的至少一部分被暴露。用于掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂。掺杂的半导体层的紫外辅助低温(UVLT)退火在一气氛中进行。该气氛选自氧化气氛和氮化气氛。氧化气氛用于n型掺杂剂。氮化气氛用于p型掺杂剂。在UVLT退火期间,牺牲层通过掺杂的半导体层形成。掺杂剂通过UVLT退火从掺杂的半导体层驱入半导体底层的所述部分中,从而形成掺杂的半导体底层。然后去除牺牲层。
搜索关键词: 掺杂的 半导体层 半导体底层 退火 半导体器件 氮化 掺杂剂 牺牲层 氧化气氛 紫外辅助 自氧化 沉积 漏极 去除 源极 暴露
【主权项】:
1.一种用于提供半导体器件的方法,包括:在半导体底层上沉积掺杂的半导体层,所述半导体底层的至少一部分被暴露用于所述掺杂的半导体层的沉积步骤,用于所述掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂;在一气氛中对所述掺杂的半导体层进行紫外辅助低温(UVLT)退火,所述气氛选自氧化气氛和氮化气氛,所述氧化气氛用于所述n型掺杂剂,所述氮化气氛用于所述p型掺杂剂,在所述UVLT退火期间由所述掺杂的半导体层形成牺牲层,并且通过所述UVLT退火将掺杂剂从所述掺杂的半导体层驱动到所述半导体底层的所述至少一部分中以形成掺杂的半导体底层;以及去除所述牺牲层。
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