[发明专利]提供源极和漏极掺杂的方法以及如此形成的半导体器件在审
申请号: | 201811228091.9 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109712935A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 王维一;M.S.罗德;B.J.奥布拉多维奇;洪俊顾 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波;屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 描述了一种用于提供半导体器件的方法和如此形成的器件。掺杂的半导体层沉积在半导体底层上。半导体底层的至少一部分被暴露。用于掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂。掺杂的半导体层的紫外辅助低温(UVLT)退火在一气氛中进行。该气氛选自氧化气氛和氮化气氛。氧化气氛用于n型掺杂剂。氮化气氛用于p型掺杂剂。在UVLT退火期间,牺牲层通过掺杂的半导体层形成。掺杂剂通过UVLT退火从掺杂的半导体层驱入半导体底层的所述部分中,从而形成掺杂的半导体底层。然后去除牺牲层。 | ||
搜索关键词: | 掺杂的 半导体层 半导体底层 退火 半导体器件 氮化 掺杂剂 牺牲层 氧化气氛 紫外辅助 自氧化 沉积 漏极 去除 源极 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种用于提供半导体器件的方法,包括:在半导体底层上沉积掺杂的半导体层,所述半导体底层的至少一部分被暴露用于所述掺杂的半导体层的沉积步骤,用于所述掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂;在一气氛中对所述掺杂的半导体层进行紫外辅助低温(UVLT)退火,所述气氛选自氧化气氛和氮化气氛,所述氧化气氛用于所述n型掺杂剂,所述氮化气氛用于所述p型掺杂剂,在所述UVLT退火期间由所述掺杂的半导体层形成牺牲层,并且通过所述UVLT退火将掺杂剂从所述掺杂的半导体层驱动到所述半导体底层的所述至少一部分中以形成掺杂的半导体底层;以及去除所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造