[发明专利]喷嘴待机装置、液处理装置及其运转方法和存储介质有效
申请号: | 201811234661.5 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109698145B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 大田黑弘城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种喷嘴待机装置。在喷嘴收纳部中,将溶剂吸入喷嘴的前端部以形成溶剂的液层时,能够节省向喷嘴收纳部供给的溶剂。使喷嘴在喷嘴收纳部待机,从溶剂出液口以第一流量供给溶剂,以封闭喷嘴的出口的方式形成液膜后,以比第一流量少的第二流量供给溶剂。第二流量是能够维持喷嘴的出口被溶剂封闭的状态的流量,形成于喷嘴的出口的液膜与溶剂接触,由此利用表面张力将溶剂吸入喷嘴的前端部,形成溶剂的液层。因此,不需要在喷嘴收纳部形成溶剂的积液,而且在从溶剂出液口供给溶剂的期间,使该供给流量从第一流量减少至第二流量,因此能够节省溶剂。 | ||
搜索关键词: | 喷嘴 待机 装置 处理 及其 运转 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种喷嘴待机装置,其用于:使用于吐出会因干燥而固化的处理液的喷嘴待机,将溶剂吸入喷嘴的前端部以形成溶剂的液层,所述喷嘴待机装置的特征在于,包括:喷嘴收纳部,其包括以包围所述喷嘴的前端部的方式形成的内周面,与喷嘴的出口相对地形成有收纳部排出口;溶剂出液口,其在所述喷嘴收纳部内开口,并形成为沿所述喷嘴收纳部的内周面引导从该溶剂出液口吐出的溶剂而使其从所述收纳部排出口排出;和溶剂供给部,在所述喷嘴的前端部形成溶剂的液层时,其以第一流量向溶剂出液口供给溶剂,利用该溶剂以封闭所述喷嘴的出口的方式形成液膜后,以比所述第一流量少的第二流量向溶剂出液口供给溶剂,其中所述第二流量是能够维持所述喷嘴的出口被溶剂封闭的状态的流量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811234661.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用计算机视觉系统的原位室清洁终点检测系统和方法
- 下一篇:基片处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造