[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201811236232.1 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698124B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 山口达也;新纳礼二;藤川诚;广田良浩;杨荣;山本知成 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | [课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(29)内埋入聚合物；所述凹部(29)包含进行了图案化的牺牲膜(23)的开口。接着，保留埋入的聚合物(6a)而去除聚合物膜(6)后，在凹部(29)内埋入有聚合物(6a)的状态下去除牺牲膜(23)，然后去除凹部(29)内的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在对基板进行处理而制造半导体装置的方法中，包括如下工序：对于表面被牺牲膜覆盖且形成有凹部的基板，从所述牺牲膜的上表面侧供给聚合用的原料，形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜，在所述凹部内埋入所述聚合物的工序，所述凹部包含进行了图案化的所述牺牲膜的开口；保留埋入至所述凹部内的聚合物，将所述牺牲膜的上表面侧的聚合物膜去除的工序；在所述凹部内埋入有聚合物的状态下将所述牺牲膜去除的工序；以及接着，将所述凹部内的聚合物去除的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
