[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811242771.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111092086B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 许家铭;刘旭正;陈佳麟;李建兴 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，装置包含绝缘体上覆硅基底、第一和第二主动元件、以及内连线结构。绝缘体上覆硅基底包含半导体层，半导体层包含被隔离结构隔开的第一和第二半导体区块。第一和第二主动元件分别设置于第一和第二半导体区块上。第一主动元件的源极/漏极区通过内连线结构提供的第一路径电连接至第二主动元件的栅极结构。第一半导体区块通过内连线结构提供的第二路径电连接至第二半导体区块。第二路径包含接触件，接触件接触第二半导体区块的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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