[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种低成本且可靠性高的半导体装置以及其制造方法。第1树脂层设置在上层芯片的第1面。第1布线层设置在第1树脂层中，与上层芯片电连接。第2树脂层设置在第1树脂层的表面侧，并且扩展到比上层芯片的侧面靠外侧的芯片外区域。第2布线层设置在第2树脂层中，与第1布线层连接，延伸到芯片外区域。下层芯片安装在第1树脂层的表面侧，与第1布线层连接。

主权项

1.一种半导体装置，其中，具备：上层芯片，具有第1面和上述第1面的相反侧的第2面；第1树脂层，设置在上述上层芯片的上述第1面；第1布线层，设置在上述第1树脂层中，与上述上层芯片电连接；第2树脂层，设置在上述第1树脂层的表面侧，并扩展到比上述上层芯片的侧面靠外侧的芯片外区域；第2布线层，设置在上述第2树脂层中，与上述第1布线层连接，并延伸到上述芯片外区域；下层芯片，安装在上述第1树脂层的上述表面侧，与上述第1布线层连接；以及封固树脂，将上述上层芯片覆盖，上述上层芯片具有多个存储器芯片的层叠体，上述多个存储器芯片具有第1芯片、第2芯片及第3芯片，上述第1芯片具备：第1半导体层，具有第1电路面和上述第1电路面的相反侧的第1背面；第1片上布线层，设置在上述第1电路面；第1接合金属，与上述第1片上布线层连接；以及第1贯通电极，贯通上述第1半导体层地设置，与上述第1片上布线层连接；上述第2芯片具有：第2半导体层，具有与上述第1芯片的上述第1片上布线层对置的第2电路面和上述第2电路面的相反侧的第2背面；第2片上布线层，设置在上述第2电路面；第2接合金属，与上述第2片上布线层连接；以及第2贯通电极，贯通上述第2半导体层地设置，与上述第2片上布线层连接；上述第3芯片具有：第3半导体层，具有第3电路面和位于上述第3电路面的相反侧且与上述第2芯片对置的第3背面；第3片上布线层，设置在上述第3电路面；以及第3贯通电极，贯通上述第3半导体层地设置，与上述第3片上布线层连接，上述半导体装置中，使上述第1片上布线层和上述第2片上布线层对置而使上述第1芯片的上述第1接合金属和上述第2芯片的上述第2接合金属彼此接合，使上述第2背面和上述第3背面对置而使上述第2芯片的上述第2贯通电极和上述第3芯片的上述第3贯通电极彼此经由凸点连接。