[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置在审
| 申请号： | 201811248198.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109961819A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金承范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/16;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 闫红玉;王兆赓 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置。非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器块，所述多个存储器块包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，所述多条字线垂直堆叠在基板上，所述多个存储器单元中的一些存储器单元由小于一个存储器块的子块单元选择。控制电路基于第一存储器块的多个子块中的每个子块的错误发生频率，将所述多个子块划分为至少一个坏子块和至少一个正常子块，并基于从非易失性存储器装置的外部提供的命令和地址，将不同的编程/擦除周期应用于所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块。所述至少一个坏子块与所述至少一个正常子块彼此相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 子块 非易失性存储器装置 存储器块 存储器单元 存储器单元阵列 存储装置 控制电路 字线 错误发生频率 擦除周期 垂直堆叠 单元选择 外部提供 基板 编程 应用 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每个存储器块包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，所述多条字线垂直堆叠在基板上，所述多个存储器单元中的一些存储器单元由小于所述多个存储器块中的一个存储器块的子块单元选择；控制电路，被配置为基于所述多个存储器块中的第一存储器块的多个子块中的每个子块的错误发生频率，将第一存储器块的所述多个子块划分为至少一个坏子块和至少一个正常子块，并且被配置为基于从非易失性存储器装置的外部提供的命令和地址，将不同的编程/擦除周期应用于所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块，其中，所述至少一个坏子块与所述至少一个正常子块相邻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811248198.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：非易失性存储器装置和在其中编程的方法
