[发明专利]具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构有效
申请号: | 201811255873.1 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109712973B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 于洪;艾廉·路易艘;索夫克·米拉;蔡宗哲;李由;罗伯特·J·葛乐尔二世 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构,揭示数种二极管结构及制造二极管结构的方法。第一及第二栅极结构经形成为该第二栅极结构与该第一栅极结构平行地配置。形成从衬底的顶面垂直地伸出的第一及第二鳍片。第一及第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。接触结构与该第一鳍片及该第二鳍片耦合。该接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。 | ||
搜索关键词: | 具有 重新 对准 特征 布局 二极管 结构 | ||
【主权项】:
1.一种使用衬底形成的装置结构,该装置结构包含:第一栅极结构;第二栅极结构,与该第一栅极结构平行地配置;第一鳍片与第二鳍片,各自从该衬底的顶面垂直地伸出,该第一鳍片及该第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间;以及第一接触结构,与该第一鳍片及该第二鳍片耦合,其中,该第一接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司,未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811255873.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的