[发明专利]具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构有效

专利信息
申请号: 201811255873.1 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109712973B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 于洪;艾廉·路易艘;索夫克·米拉;蔡宗哲;李由;罗伯特·J·葛乐尔二世 申请(专利权)人: 格芯(美国)集成电路科技有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构,揭示数种二极管结构及制造二极管结构的方法。第一及第二栅极结构经形成为该第二栅极结构与该第一栅极结构平行地配置。形成从衬底的顶面垂直地伸出的第一及第二鳍片。第一及第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。接触结构与该第一鳍片及该第二鳍片耦合。该接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。
搜索关键词: 具有 重新 对准 特征 布局 二极管 结构
【主权项】:
1.一种使用衬底形成的装置结构,该装置结构包含:第一栅极结构;第二栅极结构,与该第一栅极结构平行地配置;第一鳍片与第二鳍片,各自从该衬底的顶面垂直地伸出,该第一鳍片及该第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间;以及第一接触结构,与该第一鳍片及该第二鳍片耦合,其中,该第一接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。
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