[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201811256110.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109638125B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张威;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的绝缘层上设有向所述反光层延伸的第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离不等于所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离。本发明通过增设的第二凹槽可以有效避免锡膏在粘接焊盘和支架时被挤出到两个焊盘之间而导致N型焊盘和P型焊盘导通，大大提高了倒装芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽；所述N型电极设置在所述第一凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反光层在所述P型半导体层除所述P型电极所在区域之外的区域上；所述绝缘层铺设在所述第一凹槽内和所述反光层上，所述绝缘层上设有延伸至所述P型电极的第一通孔和延伸至所述N型电极的第二通孔；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述P型焊盘通过所述第一通孔延伸至所述P型电极，所述N型焊盘通过所述第二通孔延伸至所述N型电极；其特征在于，所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的绝缘层上设有向所述反光层延伸的第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离不等于所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离。
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