[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201811258664.2 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN110389500B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 许倍诚;苏益辰;蔡继光;连大成;王子奕;张宗裕;李信昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/22;G03F1/82;G03F1/84 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：接收一工件，其包括一基底、一多层反射层、一盖层与一吸收剂层，该基底具有一低热膨胀系数材料，该多层反射层在该基底的上方，该盖层在该多层反射层的上方，该吸收剂层在该盖层的上方；施以第一图形化，图形化该吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；施以第二图形化，图形化该吸收剂层、该盖层与该多层反射层，以提供对应于该晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模；以及使用一或多个化学元素对该极紫外线光刻掩模进行处理，以避免该吸收剂层的曝露表面受到氧化。
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