[发明专利]半导体光放大器芯片、光接收子组件和光模块有效

专利信息
申请号: 201811259612.7 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN111106526B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 余力强;牟晋博;刘俊锋;崔振威;齐鸣;伊恩·里阿尔曼 申请(专利权)人: 海思光电子有限公司
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;G02B6/42
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 王仲凯
地址: 430079 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请公开了一种半导体光放大器芯片,该芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中,有源区包括N个子有源区,并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中,每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节,其中,至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此,本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。此外,本申请还提供了一种光接收子组件以及光模块。
搜索关键词: 半导体 放大器 芯片 接收 组件 模块
【主权项】:
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