[发明专利]半导体器件与其制作方法在审
| 申请号： | 201811261431.8 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109473468A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 罗军;毛淑娟;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：提供具有源区和/或漏区的锗基半导体预备体，源区和/或漏区的掺杂杂质为第一N型杂质；在源区和/或漏区的裸露表面上设置预外延层，预外延层包括基体材料和掺杂在基体材料中的第二N型杂质，基体材料包括非Ge的第IV族元素，第二N型杂质的掺杂浓度在1.0×1020cm‑3～9.0×1021cm‑3之间；向预外延层中注入第三杂质，使得预外延层的远离半导体预备体的部分非晶化，形成外延层；在外延层的远离源区和/或漏区的表面上设置电极层；对设置有电极层的半导体预备体进行热处理，形成源接触和/或漏接触。该制作方法形成的源接触和/或漏接触的接触电阻较小。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 漏区 源区 基体材料 半导体器件 预备 电极层 漏接触 源接触 制作 半导体 掺杂 第IV族元素 锗基半导体 热处理 掺杂杂质 接触电阻 裸露表面 非晶化 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供具有源区和/或漏区的半导体预备体，所述半导体预备体为锗基半导体预备体，且所述源区和/或所述漏区的掺杂杂质为第一N型杂质；在所述源区和/或所述漏区的裸露表面上设置预外延层，且所述预外延层包括基体材料和掺杂在所述基体材料中的第二N型杂质，所述基体材料包括非Ge的第IV族元素，所述第二N型杂质的掺杂浓度在1.0×1020cm‑3～9.0×1021cm‑3之间；向所述预外延层中注入第三杂质，使得所述预外延层的远离所述半导体预备体的部分非晶化，从而使得所述预外延层形成外延层；在所述外延层的远离所述源区和/或所述漏区的表面上设置电极层；对设置有电极层的所述半导体预备体进行热处理，形成源接触和/或漏接触。
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