[发明专利]一种磁场探测器在审
| 申请号： | 201811264285.4 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN108983122A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磁场探测器，包括N型半导体，设置于N型半导体上方的导电有机物层，所述N型半导体与导电有机物层接触面中部设置有容置凹槽，并且该容置凹槽内填充有金属导体，并且金属导体外围包裹有绝缘层，所述金属导体的左右两侧还连接有绝缘导线；该磁场探测器，使用导电有机物与N型半导体组成的肖特基结，不会受磁场影响，通过磁场影响包裹在肖特基结内包裹的金属导体，使得金属导体产生与肖特基结相反的电场，从而对肖特基势垒产生影响，通过测量肖特基势垒的变化从而对磁场进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 金属导体 磁场探测器 导电有机物 肖特基结 肖特基势垒 磁场影响 容置凹槽 绝缘层 电场 绝缘导线 左右两侧 磁场 填充 测量 外围 检测 | ||
【主权项】：
1.一种磁场探测器，其特征在于:包括N型半导体（1），设置于N型半导体（1）上方的导电有机物层（2），所述N型半导体（1）与导电有机物层（2）接触面中部设置有容置凹槽，并且该容置凹槽内填充有金属导体（4），并且金属导体（4）外围包裹有绝缘层（3），所述金属导体（4）的左右两侧还连接有绝缘导线（5）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山科立特光电科技有限公司，未经中山科立特光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811264285.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
