[发明专利]一种功率器件的CSP封装方法

摘要

本发明公开的一种功率器件的CSP封装方法，其包括如下步骤：步骤1：完成晶圆前道制程步骤；步骤2：晶圆正面RDL制程，包括钝化和铜覆盖层制程步骤；步骤3：晶圆正面塑封步骤；步骤4：晶圆正面研磨步骤；步骤5：晶圆背面减薄及金属化步骤；步骤6：晶圆背面蚀刻步骤；步骤7：晶圆背面第一次介质沉积及蚀刻步骤；步骤8：晶圆背面金属溅射及蚀刻步骤；步骤9：晶圆背面第二次介质沉积及蚀刻步骤；步骤10：晶圆背面植球步骤；步骤11：切片步骤。本发明对晶圆正面的塑封层进行研磨，将铜覆盖层表面露出，有利于散热。本发明对晶圆的正面进行塑封，除了可以保护之外，还可以起到支撑的作用。

主权项

1.一种功率器件的CSP封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：完成晶圆前道制程步骤在晶圆的正面形成若干包含源极和栅极的管芯，相邻管芯之间通过划片道隔离开来，在每一管芯的源极与栅极之间采用第一钝化层隔离开来；在晶圆的背面形成漏极；步骤2：晶圆正面RDL制程步骤首先在晶圆表面制作一层绝缘层即第二钝化层；然后在管芯的源极和栅极上形成一铜覆盖层，且源极及栅极上的铜覆盖层需跨过晶圆的划片道即在第二钝化层上有源极和栅极的铜覆盖层；步骤3：晶圆正面塑封步骤对晶圆的正面进行晶圆级塑封，其中塑封层覆盖在所述铜覆盖层的表面并且填充进源极和栅极覆盖层间的间隙；步骤4：晶圆正面研磨步骤研磨晶圆正面的塑封层，让所述铜覆盖层表面露出，但是源极和栅极之间的塑封料依然保留；步骤5：晶圆背面减薄及金属化步骤对晶圆的背面进行减薄化处理，然后在减薄化处理后的晶圆背面进行金属化，形成一金属化层，所述背面金属化层与所述漏极电接触；步骤6：晶圆背面蚀刻步骤将晶圆背面对应到晶圆正面划线道的位置处蚀刻至晶圆正面的铜覆盖层位置；步骤7：晶圆背面第一次介质沉积及蚀刻步骤在晶圆背面进行介质沉积形成一第一介质绝缘层，所述第一介质绝缘层与铜柱接触并覆盖在所述金属化层的表面；然后对每一管芯上的第一介质绝缘层进行光刻及蚀刻，暴露出管芯背面的漏极和划片道上的铜覆盖层以及源极和栅极的铜覆盖层；步骤8：晶圆背面金属溅射及蚀刻步骤在所述晶圆的背面进行金属溅射形成一金属溅射层，相邻管芯上的金属溅射层与划片道上的铜覆盖层以及源极和栅极的铜覆盖层电连接，即将器件的源极和栅极通过金属溅射层都引到背面；步骤9：晶圆背面第二次介质沉积及蚀刻步骤在所述晶圆的背面进行介质沉积形成一第二介质绝缘层，所述第二介质绝缘层覆盖在所有金属溅射层的表面；然后在每一管芯上的第二介质绝缘层上蚀刻出三个植球窗口，三个植球窗口分别对于器件的源极、漏极和栅极；步骤10：植球步骤在每个植球窗口内各植球或者电镀铜柱；步骤11：切片步骤切断划片道形成一个管芯，每个管芯上具有植球或者铜柱制作的源极、漏极和栅极。