[发明专利]自适应错误检查与校正的半导体存储器装置和存储器系统在审
| 申请号： | 201811267790.4 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109767806A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 金德成;金光贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请提供了自适应错误检查与校正的半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和错误检查与校正(ECC)电路。所述ECC电路基于与写数据相对应的片内集成ECC电平来执行对存储在所述存储器单元阵列中的写数据的ECC编码，以及执行对与从所述存储器单元阵列读出的写数据相对应的读数据的ECC解码。所述片内集成ECC电平是根据写数据的重要程度，在多个片内集成ECC电平中确定的。 | ||
| 搜索关键词： | 写数据 半导体存储器装置 存储器单元阵列 错误检查 片内集成 校正 存储器系统 自适应 读数据 读出 电路 存储 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列；以及错误检查与校正电路，其被构造为基于与写数据相对应的片内集成错误检查与校正电平来执行对存储在所述存储器单元阵列中的所述写数据的错误检查与校正编码以及执行对与从所述存储器单元阵列读出的所述写数据相对应的读数据的错误检查与校正解码，其中，所述片内集成错误检查与校正电平是根据所述写数据的重要程度，在多个片内集成错误检查与校正电平中确定的。
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