[发明专利]Micro LED阵列器件的巨量转移装置及相关方法

摘要

本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。

主权项

1.一种Micro LED阵列器件，其特征在于，包括：外延衬底；位于所述外延衬底表面的磁性纳米薄膜层阵列，一个所述磁性纳米薄膜层作为一个所述Micro LED的第一电极；位于每个所述磁性纳米薄膜层上的发光二极管结构，所述发光二极管结构至少包括沿背离所述外延衬底方向依次设置的第一型半导体层、多量子阱层、第二型半导体层和第二电极。