[发明专利]对基片进行钝化的方法及钝化设备有效
| 申请号： | 201811268753.5 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111105989B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 林伟华;魏明蕊;刘科学 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种对基片进行钝化的方法，该方法包括：在外燃腔内点燃氢气和氧气的混合气，以生成水蒸气；通过设于所述外燃腔内点火处的温度检测元件实时监测所述外燃腔内的温度，并与预设温度进行比较，以利用所述外燃腔外周设置的第一加热模块实时调整所述外燃腔内的温度；将所述水蒸气通入设置有基片的钝化工艺腔。本发明还提供一种钝化设备。本发明所提供的方法对基片进行钝化时，形成的颗粒较少甚至没有，钝化膜的平整度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 钝化 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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