[发明专利]基板处理装置以及成膜装置有效
| 申请号： | 201811273183.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109755154B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 阿部可子;渡部新;阿部大和;竹见崇 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/687 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置以及成膜装置，在使用了反溅射原理的基板表面处理中，能够对被处理面整个区域进行均匀的处理。该基板处理装置(14)具备：配置有基板(2)并且被导入放电气体的腔室(41)；在腔室内保持基板的基板保持架(42)；在腔室内支承基板保持架的基板保持架支承部(43)；以及将基板保持架作为阴极，且至少将腔室以及基板保持架支承部作为阳极，对基板施加电压的电压施加部件(44)，通过向基板的表面照射离子或电子，进行基板的表面处理，所述离子或电子通过由电压施加部件的电压施加产生的放电而在腔室内产生，其中，基板保持架和基板保持架支承部经由相对于基板保持架以及基板保持架支承部电绝缘的浮动部(50)连结。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，该基板处理装置具备：腔室，配置有基板并且被导入放电气体；基板保持架，在所述腔室内保持所述基板；基板保持架支承部，在所述腔室内支承所述基板保持架；以及电压施加部件，将所述基板保持架作为阴极，且至少将所述腔室以及所述基板保持架支承部作为阳极，对所述基板施加电压，通过向所述基板的表面照射离子或电子，进行所述基板的表面处理，所述离子或电子通过由所述电压施加部件的电压施加产生的放电而在所述腔室内产生，其特征在于，所述基板保持架与所述基板保持架支承部经由相对于所述基板保持架以及所述基板保持架支承部电绝缘的浮动部连结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
