[发明专利]一种测试方法及装置在审

专利信息
申请号: 201811273707.4 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109461469A 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 刘定星;唐侃毅;程博锋 申请(专利权)人: 新华三技术有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50;G11C29/56
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 孟维娜;马敬
地址: 310052 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请实施例提供了一种测试方法及装置,涉及测试技术领域,其中,上述方法包括:确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点,其中,所述测试点包括:用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值;按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行第一类参数所指示的操作,进而构建所述测试点对应的测试环境;按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行第二类参数所指示的操作;读取所述存储设备的各个存储单元的阈值电压,得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。应用本申请实施例提供的方案,能够实现对以Flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。
搜索关键词: 存储设备 测试点 测试方法及装置 测试环境 存储介质 测试 构建 读取 测试技术领域 存储单元 阈值电压 申请 应用
【主权项】:
1.一种测试方法,其特征在于,所述方法包括:确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点,其中,所述测试点包括:用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值;按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作,进而构建所述测试点对应的测试环境;按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作;读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压,得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。
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