[发明专利]光检测装置及光检测测距装置有效
| 申请号： | 201811274233.5 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110311008B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 国分弘一;松本展 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L25/04;G01S17/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供光检测效率高的光检测装置。光检测装置具备：设置于半导体基板的第1主表面上的第1导电型的硅层；第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与所述第1半导体层分隔开；连接于所述硅层的第1电极；以及连接于所述第2半导体层的第2电极。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 装置 测距 | ||
【主权项】：
1.一种光检测装置，具备：硅层，设置于半导体基板的第1主表面上，是第1导电型；第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与所述第1半导体层分隔开；连接于所述硅层的第1电极；以及连接于所述第2半导体层的第2电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
