[发明专利]一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法在审
申请号: | 201811282640.0 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109366349A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 苏双图;张洁;林武庆;赖柏帆 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | B24B37/34 | 分类号: | B24B37/34;B24B1/00 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 362211 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法,所述碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成,其中,手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来,碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下,将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置;本发明碳化硅铜抛后卸蜡的方法,将陶瓷盘放在一定倾斜度且可以旋转的平台上,然后用手推治具,将碳化硅晶片推出来,顺着水流到晶舟盒内,晶舟盒和陶瓷盘之间设有安装光学传感器的滑移轨道,通过光学传感器,调节晶舟盒位置,这样在碳化硅晶片卸片过程中,既可以不用加热,又可以避免温度过高导致晶片在手上失去保护、掉落等异常情况。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅晶片 碳化硅铜 晶舟盒 陶瓷盘 手推 治具 光学传感器 晶片 倾斜度 传感器控制 温度过高 掉落 滑移 蜡台 卸片 卸载 加热 轨道 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法,其特征在于,所述碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成,其中,手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来,碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下,将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置;具体工艺步骤包括:S10,开启电源开关,启动碳化硅晶片卸蜡台,并开启水龙头喷嘴,使水流到陶瓷盘和晶舟盒和陶瓷盘之间滑移的轨道;S20,将陶瓷盘放在可以自由旋转的机构平台上,陶瓷盘利用固定销,将其顶住,用手推治具的底面平行贴住陶瓷盘将粘在陶瓷盘上的碳化硅晶片从陶瓷盘上推卸出来;S30,S20中推卸出来的碳化硅晶片在陶瓷盘上顺着水流沿着滑移轨道流进晶舟盒内;S40,当用手推治具卸载完成一片碳化硅晶片时,旋转陶瓷盘移至碳化硅晶片需要卸载的位置,紧接着卸载下一片碳化硅晶片,如此反复,直至碳化硅晶片卸载作业完成。
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