[发明专利]CMOS温度传感器有效
| 申请号： | 201811283439.4 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110243485B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李柱盛;金柱成;金光镐;金赏镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 史泉;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种CMOS温度传感器。所述CMOS温度传感器，包括：带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压输出与温度无关的恒定的带隙基准电压，并使用第二电压产生与温度成正比的第一电流；基准电压产生器，复制第一电流并输出使用第一电压和复制的第一电流产生的基准电压；温度信息电压产生器，复制第一电流并输出与温度成正比的温度信息电压。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 温度传感器 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS温度传感器，包括：带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压来提供与温度无关的带隙基准电压，并且还使用第二电压来提供与温度成正比的第一电流；基准电压产生器，复制第一电流并提供使用第一电压和复制的第一电流产生的基准电压；温度信息电压产生器，复制第一电流并提供与温度成正比的温度信息电压。
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