[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811283753.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109728095A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 罗文勋;张聿骐;徐英杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，其包含半导体衬底、栅极电极、一对源极/漏极区及阈值电压调整区。所述栅极电极是在所述半导体衬底上方。沟道区是在所述半导体衬底与所述栅极电极之间。所述源极/漏极区在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧。所述阈值电压调整区在沟道宽度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧，其中所述阈值电压调整区及所述沟道区具有相同掺杂类型。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 阈值电压调整 半导体装置 栅极电极 衬底 半导体 源极/漏极区 邻近 沟道宽度方向 掺杂类型 沟道 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：半导体衬底；栅极电极，其在所述半导体衬底上方；沟道区，其在所述半导体衬底与所述栅极电极之间；一对源极/漏极区，其在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧；及阈值电压调整区，其在沟道宽度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧，其中所述阈值电压调整区及所述沟道区具有相同掺杂类型。
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