[发明专利]量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811289692.0 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN111129355B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 叶炜浩 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 方良
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。所述量子点薄膜的制备方法包括如下步骤:提供量子点溶液,所述量子点溶液中含有表面结合有表面配体的量子点;将所述量子点溶液沉积在基底上,得到初始量子点薄膜;将所述初始量子点薄膜进行加热处理后,置于含有水和/或氧的气氛中进行紫外光照处理,得到所述量子点薄膜。所述制备方法工艺简单易行,制备成本低,不仅能有效去除量子点薄膜中结合在量子点上的表面配体,还能对量子点表面进行钝化以降低表面缺陷,从而提高量子点薄膜的发光强度。
搜索关键词: 量子 薄膜 制备 方法 发光二极管
【主权项】:
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