[发明专利]微元件转移装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811290521.X | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128832B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈博;邢汝博;郭恩卿;李晓伟;韦冬 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 丁建春 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种微元件的转移装置及其制造方法，其中转移装置包括基板、金属布线和多个硅电极。金属布线形成于基板的平坦表面，包括多个电极驱动单元。硅电极形成于金属布线背对基板的一侧，每一硅电极对应一电极驱动单元设置，被电极驱动单元驱动以拾取或释放微元件。本申请所提供的转移装置可以通过静电吸附实现微元件的大量转移，大大提升转移效率。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 转移 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
