[发明专利]电压箝位保护结构及运算放大器输入级结构

摘要

本发明公开了电压箝位保护单元、电路及包含保护电路的运算放大器，包括晶体管Q23，晶体管Q23的集电极与晶体管Q25的集电极连接，晶体管Q25的发射极与正电源VS+连接，晶体管Q25的基极与晶体管Q26的基极连接，晶体管Q25的基极与集电极连接；晶体管Q26的发射极与正电源VS+连接，集电极与二极管D3的负极连接且用于连接晶体管Q1的集电极，二极管D3的正极与结型场效应管PJFET1的源极连接；结型场效应管PJFET1的漏极与负电源VS‑连接，栅极用于连接输入晶体管Q1的发射极。采用二合一箝位结构对输入晶体管进行箝位，在与现有工艺完全兼容的前提下，实现晶体管小偏置电流高放大倍数的需求，既不影响电路性能，避免了难度较大的工艺开发所带来的风险。

主权项

1.一种电压箝位保护结构，其特征在于，包括场效应晶体管PJFET与二极管D，被保护线路一端连接二极管D的负极，另一端连接结型场效应晶体管PJFET的栅极，PJFET源极连接二极管D的正极，漏极连接负电源。