[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811295011.1 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111129142B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法，包括：提供初始基底，所述初始基底包括相邻的中间区和边缘区；在中间区的初始基底内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁表面形成第一调节层；形成所述第一调节层之后，在边缘区的初始基底内形成若干第二开口，所述第二开口的深度大于第一开口的深度，相邻第一开口和第二开口之间的初始基底形成第一鳍部，相邻第二开口之间的初始基底形成第二鳍部；所述第一鳍部、第二鳍部、第一开口以及第二开口底部的初始基底形成基底；在基底表面形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面。所述方法形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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