[发明专利]集成在封装基板中薄膜无源器件在审
| 申请号： | 201811306765.2 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109979914A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | A·阿列克索夫;K·达尔马韦卡尔塔;S·加恩;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;S·R·派塔尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种装置，包括：在第一表面上的一个或多个第一导电触点，在与第一表面相对的第二表面上的一个或多个第二导电触点，第一和第二表面之间的电介质层，及所述电介质层上的与所述第一导电触点中的一个导电耦合的嵌入式电容器，其中，所述嵌入式电容器包括所述电介质层上的第一金属层，金属层的表面上的薄膜电介质材料，第一金属层的表面上的第二金属层，和薄膜电介质材料上的第三金属层。还公开并要求保护了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 导电触点 电介质层 嵌入式电容器 薄膜电介质 第一金属层 第二表面 第一表面 金属层 薄膜无源器件 第二金属层 导电耦合 封装基板 | ||
【主权项】：
1.一种封装基板，包括：在第一表面上的一个或多个第一导电触点；在与所述第一表面相对的第二表面上的一个或多个第二导电触点；所述第一表面和所述第二表面之间的电介质层；以及所述电介质层上的与所述第一导电触点中的一个导电耦合的嵌入式电阻器，其中，所述嵌入式电阻器包括所述电介质层的表面上的薄膜电阻材料，所述电介质层的所述表面上的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层上的第三金属层，和所述第二金属层上的第四金属层，其中，所述第三金属层和所述第四金属层位于所述薄膜电阻材料的相对端上。
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