[发明专利]一种DRAM存储芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201811308087.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109411473A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种DRAM存储芯片及其制造方法。在该DRAM存储芯片中，存储阵列和外围电路分别设置在不同的芯片上，即外围电路设置在第一芯片上，存储阵列设置在第二芯片上。如此，外围电路不会占用存储阵列所在芯片的面积，因而，可以在整片第一芯片上均设置存储阵列，如此，有利于提高存储阵列的效率(即存储阵列占用芯片面积的比例)以及位线密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储阵列 芯片 存储芯片 外围电路 占用 设置存储 整片 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM存储芯片，其特征在于，包括：电连接的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片上设置有外围电路；所述第二芯片上设置有存储阵列，所述存储阵列包括多个存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
