[发明专利]包括电容器的半导体存储器件

摘要

一种非易失性存储器件的页缓冲器的至少一个锁存器包括选择性地存储感测节点的电压的电容器。该电容器包括至少一个第一接触和至少一个第二接触，所述至少一个第一接触具有与每个单元串的第一高度对应的第二高度，地电压被供应到所述至少一个第二接触。所述至少一个第二接触具有与第一高度对应的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻设置，并与所述至少一个第一接触电隔离。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，形成在衬底的第一区域中；以及页缓冲器电路，形成在所述衬底的第二区域中，并且通过位线连接到所述存储单元阵列，其中所述存储单元阵列包括单元串，所述单元串的每个包括沿垂直于所述衬底的方向堆叠的非易失性存储单元，其中所述页缓冲器电路包括分别对应于所述位线的页缓冲器，其中所述页缓冲器的每个包括：连接到感测节点的锁存器；以及选择电路，配置为将所述感测节点选择性地连接到所述位线中的对应位线，其中所述锁存器中的至少一个锁存器包括配置为选择性地存储所述感测节点的电压的电容器，其中所述电容器包括：至少一个第一接触，所述感测节点的所述电压被选择性地供应到所述至少一个第一接触，所述至少一个第一接触具有与所述单元串的每个的第一高度对应的第二高度；以及至少一个第二接触，地电压被供应到所述至少一个第二接触，所述至少一个第二接触具有与所述第一高度对应的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻设置，并且与所述至少一个第一接触电隔离。