[发明专利]HIT电池及其金属栅线印刷方法在审
| 申请号： | 201811311794.8 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109585573A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 何成鹏;徐江;杜建伟 | 申请（专利权）人： | 武汉三工智能装备制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳市港湾知识产权代理有限公司 44258 | 代理人： | 微嘉 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种HIT电池及其金属栅线印刷方法，其中，所述HIT电池包括两层导电薄膜及两层金属栅线，两层所述导电薄膜呈相对设置，两个所述导电薄膜相互远离的端面为形成面，两个所述导电薄膜的形成面上均形成有印刷区域，其中，至少一所述导电薄膜的印刷区域内至少部分设有多个凹槽，两层所述金属栅线分别印刷形成至两个所述导电薄膜的印刷区域。增加了设有凹槽处的印刷区域的粗糙程度，在印刷成形所述金属栅线时，提高了导电薄膜与金属栅线的结合强度，同时，增大了导电薄膜与金属栅线的接触面积，减小了接触电阻，降低HIT电池内阻消耗，提高HIT电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电薄膜 金属栅线 印刷区域 两层 印刷 电池 电池内阻 电池效率 接触电阻 相对设置 凹槽处 形成面 成形 减小 粗糙 消耗 | ||
【主权项】：
1.一种HIT电池，其特征在于，包括：两层导电薄膜，两层所述导电薄膜呈相对设置，两层所述导电薄膜相互远离的端面为形成面，两层所述导电薄膜的形成面上均形成有印刷区域，其中，至少一所述导电薄膜的印刷区域内至少部分设有多个凹槽；以及，两层金属栅线，分别印刷形成至两层所述导电薄膜的印刷区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
