[发明专利]蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法

摘要

提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。

主权项

1.一种用于蚀刻的组合物，所述组合物包括：磷酸；铵类化合物；盐酸或多磷酸盐类化合物；以及由式2表示的含硅化合物：[式2]其中，在式2中：R²是从氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基和1至10个碳原子的烷氧基氨基中选择的任意一个，R³、R⁴和R⁵中的每个是氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基、1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，R³、R⁴和R⁵中的至少一个是1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，n是2或3。