[发明专利]存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811324290.X | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109768014B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 洪镇宇;李泳周;崔准容;金廷泫;李尚俊;李贤奎;赵允哲;朴济民;潘孝同 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：位于由衬底上的器件隔离层限定的有源区域上的单元晶体管，使得每个单元晶体管具有掩埋单元栅极和与所述衬底邻近并相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧的结部分；所述衬底上的绝缘图案，覆盖所述单元晶体管和所述器件隔离层；以及位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分的位线结构。所述位线结构包括：位于所述图案上并具有热氧化物图案的缓冲图案、位于所述缓冲图案上的导线以及从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：衬底，所述衬底包括由器件隔离层限定的多个有源区域；在所述衬底的所述多个有源区域上的多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管包括所述衬底中的掩埋单元栅极和结部分，所述结部分与所述掩埋单元栅极相邻并且相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧；所述衬底上的绝缘图案，所述绝缘图案覆盖所述多个单元晶体管和所述器件隔离层；以及位线结构，所述位线结构位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分，所述位线结构包括：缓冲图案，所述缓冲图案在所述绝缘图案上延伸并包括热氧化物图案；所述缓冲图案上的导线；以及接触，所述接触从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分。
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