[发明专利]片上终结电路和半导体存储器在审
| 申请号： | 201811325020.0 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111161765A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 陈建焕;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种片上终结电路和半导体存储器，片上终结电路包括：多个被校准单元，被校准单元用于连接参考电阻的校准节点端；控制单元，连接于被校准单元，控制单元用于连接所述校准节点端，并根据参考电阻控制对被校准单元的校准；其中，校准后的多个被校准单元具有至少两个不同的阻值。本发明实施例的技术方案可以降低调节ODT阻值的控制电路的设计复杂度，减少电路面积，缩短调节时间。 | ||
| 搜索关键词： | 终结 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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